士兰集宏项目总投资120亿元

分两期建设

总建筑面积达23.45万㎡

一期投资70亿元

预计2025年四季度初步通线

2026年一季度试生产

达产后年产能42万片8英寸SiC芯片

资料图

二期投产后总产能将提升至72万片/年

成为全球规模领先的

8英寸SiC功率器件产线

项目以SiC MOSFET为核心产品

主要服务于新能源汽车

主驱逆变器、光伏逆变器、智能电网等

高需求领域

自2024年6月开工以来

得益于海沧“八办机制”和“进不了窗口服务”

项目以“厦门速度”推进

从谈判签约到开工仅用55天

钢结构首吊于1月21日完成

主厂房核心区22榀钢桁架梁半月内全部就位

春节期间

超千名工人坚守岗位，保障施工进度

最终提前完成封顶目标

项目总指挥朱利荣

再次点赞了海沧优质的营商环境

他表示

封顶后将继续推进配套设施建设

包括动力站、测试楼等

确保后续设备安装与调试顺利开展

当前

新能源汽车对SiC芯片需求激增

而国内产能仍依赖进口

士兰集宏项目达产后

可满足国内40%以上的

车规级SiC芯片需求

并带动上下游产业链集聚厦门

加速第三代半导体材料、设备国产化进程

此外

士兰微已实现第Ⅳ代SiC MOSFET芯片量产

其主驱模块已获

国内知名车企批量采购

技术实力进一步巩固

士兰微电子董事会秘书、副总裁陈越表示，希望在“十五五”期间，在各方的大力支持下，士兰集宏建成72万片8英寸SiC功率芯片的年产能，其中总投资70亿元的一期项目，尽最大努力争取在今年年底实现初步通线，明年一季度投产，到2028年底最终形成，年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。

届时，项目可以较好地满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩、Ai服务器电源、大型白电智能功率模块等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片，同时促进国内8英寸碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。

据悉，项目全面达产后，预计年产值超120亿元，助力厦门打造第三代半导体产业集群，并为中国在全球功率半导体竞争中抢占高地。

士兰微2024年业绩扭亏为盈

净利润达1.5亿元-1.9亿元

得益于新能源汽车芯片业务增长

公司同步推进12英寸IGBT、SiC产线扩产

并计划2025年实现

第Ⅳ代SiC模块批量供货

进一步巩固行业地位

效果图

业界表示

士兰集宏项目的封顶

不仅是士兰微“IDM模式”的又一里程碑

更是中国半导体产业自主化的重要突破

随着全球产业格局加速转型

SiC芯片的战略价值日益凸显

士兰微的布局或将为国产替代开启新篇章